Accueil › 2021 › Electrical study of ZnO film thickness effect on the evolution of interface potential barrier of ZnO/p-Si heterojunction: contribution to transport phenomena study

Electrical study of ZnO film thickness effect on the evolution of interface potential barrier of ZnO/p-Si heterojunction: contribution to transport phenomena study

Posté le par fenniche

https://doi.org/10.1016/j.mssp.2021.105971

Publié dans 2021

Statistiques du site

053475
Aujourd'hui : 31
Hier : 79
Ce mois-ci : 1077
Cette année : 16336
Vues aujourd'hui : 428
Vues totales : 140962
Qui est en ligne : 1